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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心暖通環(huán)保檢測(cè)儀SD5000半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)采用了標(biāo)準(zhǔn)的PXI總線,能夠兼容CPCI和PXI設(shè)備。它是一款浮動(dòng)資源的測(cè)試工作站,這種特殊的架構(gòu)方式使得用戶可以有效的利用系統(tǒng)資源,配置出經(jīng)濟(jì)、高效的測(cè)試系統(tǒng)。測(cè)試原理符合相的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品型號(hào):SD5000

更新時(shí)間:2024-11-19

廠商性質(zhì):代理商

訪問量:427

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產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品描述

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)

SD5000是一款高精度的半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng),該系統(tǒng)采用了標(biāo)準(zhǔn)的PXI總線,能夠兼容CPCI和PXI設(shè)備。它是一款浮動(dòng)資源的測(cè)試工作站,這種特殊的架構(gòu)方式使得用戶可以有效的利用系統(tǒng)資源,配置出經(jīng)濟(jì)、高效的測(cè)試系統(tǒng)。測(cè)試原理符合相的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。SD5000旨在幫助您大 限度地提高系統(tǒng)的正常運(yùn)行時(shí)間、性能,大幅降低器件的測(cè)試時(shí)間,提高測(cè)試效率,同時(shí)大限度地降低運(yùn)營(yíng)成本,支持廣 泛的業(yè)務(wù)。而且,我們的服務(wù)可以靈活的滿足您的需求。根據(jù)客戶具體應(yīng)用場(chǎng)景,SD5000有倆種外形結(jié)構(gòu)供客戶選擇。

基本特征:

  • 1. 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)擁有成本,可靠的、可擴(kuò)展的體系結(jié)構(gòu)

  • 2. CPU內(nèi)嵌在系統(tǒng)主機(jī)內(nèi),并通過PXI總線控制和管理測(cè)試主機(jī)

  • 3. Windows XP操作系統(tǒng),窗口式編程,直觀、友好的圖形用戶界面極大的方便了用戶

  • 4. 支持兩測(cè)試站乒乓測(cè)試,兩測(cè)試站可測(cè)試不同的器件類型,并支持不同的工作模式

  • 5. 系統(tǒng)采用四線開爾文連接方式及屏蔽措施保證被測(cè)器件端的測(cè)試精度和穩(wěn)定性

  • 6. 兼容各類機(jī)械手、探針臺(tái)

  • 7. 系統(tǒng)兼容CPCI和PXI設(shè)備,可以擴(kuò)展數(shù)字資源,使客戶對(duì)機(jī)器的使用方式有多種選擇

  • 8. 設(shè)備所有板卡和測(cè)試盒都是可以插拔的,使用戶在使用過程中方便維護(hù)

  • 9. 機(jī)器體積的減小,縮短主機(jī)與DUT卡的距離,提高了設(shè)備的穩(wěn)定性和精確度



目標(biāo)器件:

  • 二極管(整流、開關(guān)、檢波、穩(wěn)壓等):VR、IR、VF、Vz

  • 三極管:BVCBO、BVCEO、BVCER、BVCES、BVEBO、ICBO、ICEO、ICER

  • ICES、IEBO、VCES、VBES、HFE

  • 場(chǎng)效應(yīng)管:BVDSS、BVDSR、BVDSO、BVDGO、BVGSO、BVGSS、IDSS、IDSO

  • IGDO、IGSO、IDSR、VGS、VDS、VTH、GFS

  • 達(dá)林頓管:VCESAT、ICEO、IEBO、HFE、VBESAT、BVCEO、IGBT、BVCGR

  • BVGES、TGES、VCEST、VGETH

  • 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT):BVCES、BVCGR、BVGES、ICES、IGES、VCESAT VGETH、VGS(off)、Vf

  • 可控硅:IGT、IH、IL、VGT、VON、BVAKF、BVAKR、BVAKO、IAKF、IAKR

  • 光電耦合器:VF、IR、BVR、BVCEO、ICEO、CTR、VCESAT

  • 其他半導(dǎo)體器件



技術(shù)指標(biāo):


功能模塊指標(biāo)名稱描述
VIS電壓電流源116位,范圍:±30V/±20A;加壓精度:±0.5%;加流精度:±0.5%。
VM電壓測(cè)量16位,范圍:±2000V/±20A, 開爾文連接。測(cè)壓精度:±0.5%;測(cè)流精度:±0.5%;
HVS高壓源16位,范圍:±2000V/±5mA, 加壓精度為±1%。
HIS(Option)大電流選件16位,范圍:±200A, 加流精度為±1%。


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